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IC
数個のトランジスタを集積したもの．
LSI
1000個以上のトランジスタを集積したもの．
超LSI
10万個以上のトランジスタを集積したもの．
バイポーラ・トランジスタ
N型，P型のシリコンを使ってサンドイッチ状に作り上げるタイプのトランジスタのことで，プラスとマイナスの2極を使う．
C1815などがその例で，P型はプラスの電気を帯びた正孔が動き回れるようにしたもので，N型はマイナスの電気を帯びた電子が動き回れるようにしたもの．
ユニポーラ・トランジスタ
電子または正孔のどちらか1極しか使用しないトランジスタのことで，MOS-FETがその例．
ちなみにMOSとはMetal Oxide Semiconductor（金属酸化物半導体）の略．
N-MOSとP-MOSの2種類があるが，N-MOSの場合，P型シリコンの板の上に2つのN型の領域が作られている．
このN型領域の片方をソース，もう一方をドレインと呼ぶ．
ソースとドレインの間の上部には酸化膜を介して金属膜を付着させている部分があるが，これをゲートと呼ぶ．
このゲートに電圧を加えたり加えなかったりすることでソース-ドレイン間に電流を流したり流さなかったりができる．
原理としては，ゲートにプラスの電圧を加えたときP型中の電子がゲート付近に引きつけられ，その部分が一時的にN型領域となり，その結果両端のN型領域が繋がり電流が流れるようになっている．
P-MOSの場合は，N-MOSの動作，しくみ，極が真逆になるだけ．
C-MOSトランジスタ
P-MOSとN-MOSを組み合わせて，消費電力を小さくしたトランジスタ．
「C」は「Complimentary（＝互いに補い合う）」の頭文字．
バリコン
バリアブルコンデンサの略称で，容量を可変できる．
周波数の微調整のために使うトリマコンデンサや，ラジオの周波数調整に使うポリバリコンなどがある．
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